NGTD30T120F2SWK
Nur als Referenz
| Teilenummer | NGTD30T120F2SWK |
| PNEDA Teilenummer | NGTD30T120F2SWK |
| Beschreibung | IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.194 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
NGTD30T120F2SWK Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | NGTD30T120F2SWK |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
NGTD30T120F2SWK, NGTD30T120F2SWK Datenblatt
(Total Pages: 3, Größe: 348,22 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- NGTD30T120F2SWK Datasheet
- where to find NGTD30T120F2SWK
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor NGTD30T120F2SWK
- NGTD30T120F2SWK PDF Datasheet
- NGTD30T120F2SWK Stock
- NGTD30T120F2SWK Pinout
- Datasheet NGTD30T120F2SWK
- NGTD30T120F2SWK Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- NGTD30T120F2SWK Price
- NGTD30T120F2SWK Distributor
NGTD30T120F2SWK Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A Leistung - max 200W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 180nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 100ns/500ns Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 200ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-204AE Lieferantengerätepaket TO-204AE |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 7.5A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 2.5A Leistung - max 53.6W Schaltenergie 90µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 17.1nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 10ns/128ns Testbedingung 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 31ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 60A Leistung - max 180W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 260nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 19A Leistung - max 250W Schaltenergie 15mJ (on), 30mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 142nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 1500V, 19A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-5 (3 Leads) Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A Leistung - max 60W Schaltenergie 165µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 23nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 480V, 7A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB |
