NGTG12N60TF1G
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| Teilenummer | NGTG12N60TF1G |
| PNEDA Teilenummer | NGTG12N60TF1G |
| Beschreibung | IGBT 600V 24A 54W TO-3PF |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.488 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NGTG12N60TF1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTG12N60TF1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGTG12N60TF1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 24A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 88A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 12A |
| Leistung - max | 54W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 84nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 55ns/200ns |
| Testbedingung | 300V, 15A, 30Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A Leistung - max 208W Schaltenergie 500µJ (on), 680µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 36ns/137ns Testbedingung 480V, 30A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Sanken Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 75ns/300ns Testbedingung 300V, 50A, 39Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 300ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 80A Leistung - max 250W Schaltenergie 2.5mJ (on), 1.76mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 345nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/90ns Testbedingung 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264-3 |
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