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NGTG15N60S1EG

NGTG15N60S1EG

Nur als Referenz

Teilenummer NGTG15N60S1EG
PNEDA Teilenummer NGTG15N60S1EG
Beschreibung IGBT 600V 30A 117W TO220-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 19.746
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NGTG15N60S1EG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTG15N60S1EG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTG15N60S1EG, NGTG15N60S1EG Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 124,35 KB)
PDFNGTG15N60S1EG Datenblatt Cover
NGTG15N60S1EG Datenblatt Seite 2 NGTG15N60S1EG Datenblatt Seite 3 NGTG15N60S1EG Datenblatt Seite 4 NGTG15N60S1EG Datenblatt Seite 5 NGTG15N60S1EG Datenblatt Seite 6 NGTG15N60S1EG Datenblatt Seite 7 NGTG15N60S1EG Datenblatt Seite 8 NGTG15N60S1EG Datenblatt Seite 9

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NGTG15N60S1EG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 15A
Leistung - max117W
Schaltenergie550µJ (on), 350µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge88nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.65ns/170ns
Testbedingung400V, 15A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

180W

Schaltenergie

2.85mJ (on), 6.47mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/290ns

Testbedingung

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 32A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

2.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

89nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/260ns

Testbedingung

720V, 32A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

190ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

FGB30N6S2DT

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

55µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/40ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

46ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

STGB6NC60HDT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

21A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

Leistung - max

56W

Schaltenergie

20µJ (on), 68µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/76ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

21ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

STGP10NB60S

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

29A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 10A

Leistung - max

80W

Schaltenergie

600µJ (on), 5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

33nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

700ns/1.2µs

Testbedingung

480V, 10A, 1kOhm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Kürzlich verkauft

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IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14SOIC

MT41K128M16JT-125 XIT:K

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IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

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OPTOISO 3.75KV 4CH TRANS 16-SOP

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