NJVMJD117T4G
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| Teilenummer | NJVMJD117T4G |
| PNEDA Teilenummer | NJVMJD117T4G |
| Beschreibung | TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK-4 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.436 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 28 - Jul 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NJVMJD117T4G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NJVMJD117T4G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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NJVMJD117T4G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP - Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 2A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 100V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Leistung - max | 1.75W |
| Frequenz - Übergang | 25MHz |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1A, 3.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 800mA, 3V Leistung - max 40W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
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