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NP110N04PUK-E1-AY

NP110N04PUK-E1-AY

Nur als Referenz

Teilenummer NP110N04PUK-E1-AY
PNEDA Teilenummer NP110N04PUK-E1-AY
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
Hersteller Renesas Electronics America
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NP110N04PUK-E1-AY Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNP110N04PUK-E1-AY
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NP110N04PUK-E1-AY, NP110N04PUK-E1-AY Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 263,01 KB)
PDFNP110N04PUK-E1-AY Datenblatt Cover
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NP110N04PUK-E1-AY Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs297nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds15750pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.8W (Ta), 348W (Tc)
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-263-3
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDH45N50F-F133

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

45A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

137nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6630pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

625W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

ATP104-TL-HX

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.4mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

76nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3950pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

ATPAK

Paket / Fall

ATPAK (2 leads+tab)

BUK9M15-60EX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

47A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.45V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2230pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

75W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK33

Paket / Fall

SOT-1210, 8-LFPAK33

STL260N3LLH6

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ H6

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

260A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6375pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

166W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

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10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3583pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

167W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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