NSBC113EPDXV6T1G
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| Teilenummer | NSBC113EPDXV6T1G |
| PNEDA Teilenummer | NSBC113EPDXV6T1G |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 30.798 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 9 - Jun 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NSBC113EPDXV6T1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NSBC113EPDXV6T1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
| Datenblatt |
NSBC113EPDXV6T1G, NSBC113EPDXV6T1G Datenblatt
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NSBC113EPDXV6T1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 1kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung - max | 500mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-563 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA, 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V, 20V Widerstand - Basis (R1) 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA, 100nA Frequenz - Übergang 185MHz Leistung - max 600mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
