NSDEMN11XV6T1G
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| Teilenummer | NSDEMN11XV6T1G |
| PNEDA Teilenummer | NSDEMN11XV6T1G |
| Beschreibung | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT563 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.346 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 14 - Mai 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NSDEMN11XV6T1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NSDEMN11XV6T1G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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NSDEMN11XV6T1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 2 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 80V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 100mA (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100nA @ 70V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-563 |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodenkonfiguration - Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
