NSVF4020SG4T1G
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| Teilenummer | NSVF4020SG4T1G |
| PNEDA Teilenummer | NSVF4020SG4T1G |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.280 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NSVF4020SG4T1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NSVF4020SG4T1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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NSVF4020SG4T1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 8V |
| Frequenz - Übergang | 16GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.8dB @ 1GHz |
| Gewinn | 17.5dB |
| Leistung - max | 400mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | SC-82FL/MCPH4 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 150MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SC-70-3 (SOT323) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Frequenz - Übergang 1.2GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7dB Leistung - max 88W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55KT Lieferantengerätepaket 55KT |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 7.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 10.5dB ~ 16.5dB Leistung - max 700mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket PG-SOT143-4 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 35V Frequenz - Übergang 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.6dB Leistung - max 60W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M113 Lieferantengerätepaket M113 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz Gewinn - Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-SO |
