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NTB90N02

NTB90N02

Nur als Referenz

Teilenummer NTB90N02
PNEDA Teilenummer NTB90N02
Beschreibung MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Hersteller ON Semiconductor
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NTB90N02 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTB90N02
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTB90N02, NTB90N02 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 69,33 KB)
PDFNTB90N02T4G Datenblatt Cover
NTB90N02T4G Datenblatt Seite 2 NTB90N02T4G Datenblatt Seite 3 NTB90N02T4G Datenblatt Seite 4 NTB90N02T4G Datenblatt Seite 5 NTB90N02T4G Datenblatt Seite 6 NTB90N02T4G Datenblatt Seite 7 NTB90N02T4G Datenblatt Seite 8

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NTB90N02 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)24V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.90A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 4.5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2120pF @ 20V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)85W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

280mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 26µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

SQP120N06-6M7_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

TPC8132,LQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (Max)

+20V, -25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1580pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOP

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

AON6452L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SDMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A (Ta), 26A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 35W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (5x6)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

SCH1337-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

172pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

800mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-SCH

Paket / Fall

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NR6028T100M

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