Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NTD32N06-1G

NTD32N06-1G

Nur als Referenz

Teilenummer NTD32N06-1G
PNEDA Teilenummer NTD32N06-1G
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.816
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 15 - Mai 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTD32N06-1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTD32N06-1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTD32N06-1G, NTD32N06-1G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 66,76 KB)
PDFNTD32N06G Datenblatt Cover
NTD32N06G Datenblatt Seite 2 NTD32N06G Datenblatt Seite 3 NTD32N06G Datenblatt Seite 4 NTD32N06G Datenblatt Seite 5 NTD32N06G Datenblatt Seite 6 NTD32N06G Datenblatt Seite 7 NTD32N06G Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NTD32N06-1G Datasheet
  • where to find NTD32N06-1G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTD32N06-1G
  • NTD32N06-1G PDF Datasheet
  • NTD32N06-1G Stock

  • NTD32N06-1G Pinout
  • Datasheet NTD32N06-1G
  • NTD32N06-1G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTD32N06-1G Price
  • NTD32N06-1G Distributor

NTD32N06-1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.32A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1725pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI-PAK
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STD110N8F6

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ F6

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9130pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

167W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AO6414

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.3nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.56W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

STP110N10F7

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

DeepGATE™, STripFET™ VII

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

110A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5500pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

R6007ENJTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

620mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LPTS (D2PAK)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SQM10250E_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

65A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4050pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

375W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D²Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

PIC16F1829T-I/SS

PIC16F1829T-I/SS

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 20SSOP

MMBD7000-7-F

MMBD7000-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3

NDT454P

NDT454P

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223

S29GL256P11FFIV10

S29GL256P11FFIV10

Cypress Semiconductor

IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA

ZHCS1000TA

ZHCS1000TA

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23-3

SMAJ40CA

SMAJ40CA

Bourns

TVS DIODE 40V 64.5V SMA

ADG702BRTZ-REEL7

ADG702BRTZ-REEL7

Analog Devices

IC SWITCH SPST SOT23-6

MAX3232CSE+T

MAX3232CSE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO

TL431ACLP

TL431ACLP

ON Semiconductor

IC VREF SHUNT ADJ TO92-3

SI9706DY-T1-E3

SI9706DY-T1-E3

Vishay Siliconix

IC PCMCIA INTFACE SW 8SO

MBR0580-TP

MBR0580-TP

Micro Commercial Co

DIODE SCHOTTKY 80V 500MA SOD123

MC68711E20CFNE3

MC68711E20CFNE3

NXP

IC MCU 8BIT 20KB OTP 52PLCC