NTF3055-100T1G-IRH1
Nur als Referenz
| Teilenummer | NTF3055-100T1G-IRH1 |
| PNEDA Teilenummer | NTF3055-100T1G-IRH1 |
| Beschreibung | NFET SOT223 60V 3A 0.100R |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.102 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTF3055-100T1G-IRH1 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTF3055-100T1G-IRH1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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NTF3055-100T1G-IRH1 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 455pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.3W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 (TO-261) |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.1mOhm @ 7.8A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1270pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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