Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NTF3055L108T3LF

NTF3055L108T3LF

Nur als Referenz

Teilenummer NTF3055L108T3LF
PNEDA Teilenummer NTF3055L108T3LF
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.056
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTF3055L108T3LF Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTF3055L108T3LF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTF3055L108T3LF, NTF3055L108T3LF Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 127,72 KB)
PDFNTF3055L108T3G Datenblatt Cover
NTF3055L108T3G Datenblatt Seite 2 NTF3055L108T3G Datenblatt Seite 3 NTF3055L108T3G Datenblatt Seite 4 NTF3055L108T3G Datenblatt Seite 5 NTF3055L108T3G Datenblatt Seite 6 NTF3055L108T3G Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NTF3055L108T3LF Datasheet
  • where to find NTF3055L108T3LF
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTF3055L108T3LF
  • NTF3055L108T3LF PDF Datasheet
  • NTF3055L108T3LF Stock

  • NTF3055L108T3LF Pinout
  • Datasheet NTF3055L108T3LF
  • NTF3055L108T3LF Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTF3055L108T3LF Price
  • NTF3055L108T3LF Distributor

NTF3055L108T3LF Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 5V
Vgs (Max)±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds440pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.3W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-223
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

RSC002P03T316

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

250mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SST3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

ATP218-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 50A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6600pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

ATPAK

Paket / Fall

ATPAK (2 leads+tab)

IPA65R110CFDXKSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CFD2

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

31.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

118nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3240pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

34.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220 Full Pack

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

APT47F60J

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

49A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13190pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

540W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

IXTQ69N30P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

69A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4960pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Kürzlich verkauft

MMSZ4696T1G

MMSZ4696T1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD123

MIC2544A-1YM

MIC2544A-1YM

Microchip Technology

IC SW CURR LIMIT HI SIDE 8SOIC

0451001.MRL

0451001.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 1A 125VAC/VDC 2SMD

ISL99227IRZ

ISL99227IRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC MODULE SPS 3.3V 32-PQFN

SMCJ24CAHE3/57T

SMCJ24CAHE3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 24V 38.9V DO214AB

B340A-E3/61T

B340A-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC

5CEBA9F27C7N

5CEBA9F27C7N

Intel

IC FPGA 336 I/O 672FBGA

ISL62882CHRTZ

ISL62882CHRTZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CONV INTEL 1OUT 40TQFN

ADM202JRN-REEL7

ADM202JRN-REEL7

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

TCMT4100

TCMT4100

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 3.75KV 4CH TRANS 16-SOP

TDA7267A

TDA7267A

STMicroelectronics

IC AMP AUDIO 3W MONO AB 16DIP

MTFC8GAKAJCN-4M IT

MTFC8GAKAJCN-4M IT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64G MMC