NTLGD3502NT2G
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| Teilenummer | NTLGD3502NT2G |
| PNEDA Teilenummer | NTLGD3502NT2G |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.640 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 14 - Mai 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NTLGD3502NT2G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTLGD3502NT2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NTLGD3502NT2G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.3A, 3.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 10V |
| Leistung - max | 1.74W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-DFN (3x3) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 112mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 10V Leistung - max 700mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket SC-75, MicroFET |
