NTLJS3A18PZTWG
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| Teilenummer | NTLJS3A18PZTWG |
| PNEDA Teilenummer | NTLJS3A18PZTWG |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.462 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTLJS3A18PZTWG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTLJS3A18PZTWG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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NTLJS3A18PZTWG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2240pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-WDFN (2x2) |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
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