NTMFD4C85NT3G
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| Teilenummer | NTMFD4C85NT3G |
| PNEDA Teilenummer | NTMFD4C85NT3G |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.294 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTMFD4C85NT3G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTMFD4C85NT3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NTMFD4C85NT3G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 15.4A, 29.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1960pF @ 15V |
| Leistung - max | 1.13W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
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