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NTMFS08N2D5C

NTMFS08N2D5C

Nur als Referenz

Teilenummer NTMFS08N2D5C
PNEDA Teilenummer NTMFS08N2D5C
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.038
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 19 - Jun 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTMFS08N2D5C Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTMFS08N2D5C
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTMFS08N2D5C, NTMFS08N2D5C Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 268,22 KB)
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NTMFS08N2D5C Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.166A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7mOhm @ 68A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 380µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs84nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6240pF @ 40V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)138W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPower56
Paket / Fall8-PowerTDFN

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AOI442

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Ta), 37A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 60W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-251A

Paket / Fall

TO-251-3 Stub Leads, IPak

NVMFS5830NLT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

29A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

113nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5880pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 158W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

IRF6215L-103PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

STP95N3LLH6

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

70W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IRF6215L

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

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Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

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±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

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WSL2512R0250FEA

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FXMA2102UMX

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