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NTMFS4945NT1G

NTMFS4945NT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NTMFS4945NT1G
PNEDA Teilenummer NTMFS4945NT1G
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 7.4A SO8FL
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.084
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NTMFS4945NT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTMFS4945NT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTMFS4945NT1G, NTMFS4945NT1G Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 110,63 KB)
PDFNTMFS4945NT3G Datenblatt Cover
NTMFS4945NT3G Datenblatt Seite 2 NTMFS4945NT3G Datenblatt Seite 3 NTMFS4945NT3G Datenblatt Seite 4 NTMFS4945NT3G Datenblatt Seite 5 NTMFS4945NT3G Datenblatt Seite 6 NTMFS4945NT3G Datenblatt Seite 7

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NTMFS4945NT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7.4A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.6nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1205pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)910mW (Ta), 19.8W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Fall8-PowerTDFN, 5 Leads

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MIC94050BM4 TR

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

SymFET™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

6V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 5.5V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

568mW (Ta)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-143

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

91nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5585pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDPF52N20T

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

52A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

38.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

SPB10N10L

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

154mOhm @ 8.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 21µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

444pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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5A (Tc)

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10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

315pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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