Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NTMFS4983NFT3G

NTMFS4983NFT3G

Nur als Referenz

Teilenummer NTMFS4983NFT3G
PNEDA Teilenummer NTMFS4983NFT3G
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 160A SO8FL
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 980.508
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTMFS4983NFT3G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTMFS4983NFT3G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTMFS4983NFT3G, NTMFS4983NFT3G Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 84,54 KB)
PDFNTMFS4983NFT3G Datenblatt Cover
NTMFS4983NFT3G Datenblatt Seite 2 NTMFS4983NFT3G Datenblatt Seite 3 NTMFS4983NFT3G Datenblatt Seite 4 NTMFS4983NFT3G Datenblatt Seite 5 NTMFS4983NFT3G Datenblatt Seite 6 NTMFS4983NFT3G Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NTMFS4983NFT3G Datasheet
  • where to find NTMFS4983NFT3G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTMFS4983NFT3G
  • NTMFS4983NFT3G PDF Datasheet
  • NTMFS4983NFT3G Stock

  • NTMFS4983NFT3G Pinout
  • Datasheet NTMFS4983NFT3G
  • NTMFS4983NFT3G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTMFS4983NFT3G Price
  • NTMFS4983NFT3G Distributor

NTMFS4983NFT3G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.22A (Ta), 106A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47.9nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3250pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.7W (Ta), 38W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Fall8-PowerTDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTB60N06LT4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 30A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3075pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.4W (Ta), 150W (Tj)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMP2010UFV-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

103nC @ 10V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3350pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8

Paket / Fall

8-PowerVDFN

SPP15P10P

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 10.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1.54mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1180pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

128W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

MCU07N65-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

EFC4612R-W-TR

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

EFCP1313-4CC-037

Paket / Fall

4-XFBGA

Kürzlich verkauft

ADAU1761BCPZ

ADAU1761BCPZ

Analog Devices

IC SIGMADSP CODEC PLL 32LFCSP

DN2540N8-G

DN2540N8-G

Microchip Technology

MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3

MTFC8GAKAJCN-4M IT

MTFC8GAKAJCN-4M IT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64G MMC

B340A-E3/61T

B340A-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC

LTM4608AMPY

LTM4608AMPY

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5V 8A

REF195GSZ

REF195GSZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 5V 8SOIC

TDA7267A

TDA7267A

STMicroelectronics

IC AMP AUDIO 3W MONO AB 16DIP

ADM3222ARSZ

ADM3222ARSZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

AS5163-HTSM

AS5163-HTSM

ams

SENSOR ANGLE 360DEG SMD

PIC16F1509-I/SS

PIC16F1509-I/SS

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 20SSOP

2N3906BU

2N3906BU

ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.2A TO-92

BNX025H01L

BNX025H01L

Murata

FILTER LC 10UF SMD