Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NTMFS4C06NT3G

NTMFS4C06NT3G

Nur als Referenz

Teilenummer NTMFS4C06NT3G
PNEDA Teilenummer NTMFS4C06NT3G
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.182
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 6 - Mai 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTMFS4C06NT3G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTMFS4C06NT3G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTMFS4C06NT3G, NTMFS4C06NT3G Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 138,73 KB)
PDFNTMFS4C06NT1G-001 Datenblatt Cover
NTMFS4C06NT1G-001 Datenblatt Seite 2 NTMFS4C06NT1G-001 Datenblatt Seite 3 NTMFS4C06NT1G-001 Datenblatt Seite 4 NTMFS4C06NT1G-001 Datenblatt Seite 5 NTMFS4C06NT1G-001 Datenblatt Seite 6 NTMFS4C06NT1G-001 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NTMFS4C06NT3G Datasheet
  • where to find NTMFS4C06NT3G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTMFS4C06NT3G
  • NTMFS4C06NT3G PDF Datasheet
  • NTMFS4C06NT3G Stock

  • NTMFS4C06NT3G Pinout
  • Datasheet NTMFS4C06NT3G
  • NTMFS4C06NT3G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTMFS4C06NT3G Price
  • NTMFS4C06NT3G Distributor

NTMFS4C06NT3G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.11A (Ta), 69A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1683pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)770mW (Ta), 30.5W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Fall8-PowerTDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTMS4917NR2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1054pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

880mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

STP31N65M5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

148mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

816pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

IRF200P222

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

StrongIRFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

182A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 82A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 270µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

203nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9820pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

556W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Paket / Fall

TO-247-3

ZVP4525E6TC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

197mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.45nC @ 10V

Vgs (Max)

±40V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

73pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-6

Paket / Fall

SOT-23-6

SIJA58DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (Max)

+20V, -16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3750pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

27.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

Kürzlich verkauft

SRR0735A-100M

SRR0735A-100M

Bourns

FIXED IND 10UH 2.1A 72 MOHM SMD

0154007.DR

0154007.DR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC 2SMD

ACS723LLCTR-10AU-T

ACS723LLCTR-10AU-T

Allegro MicroSystems, LLC

SENSOR CURRENT HALL 10A DC

SF-1206F200-2

SF-1206F200-2

Bourns

FUSE BOARD MOUNT 2A 63VDC 1206

AC0603FR-07100KL

AC0603FR-07100KL

Yageo

RES SMD 100K OHM 1% 1/10W 0603

MAX3100CEE+T

MAX3100CEE+T

Maxim Integrated

IC UART SPI COMPAT 16-QSOP

AD734AQ

AD734AQ

Analog Devices

IC MULTIPLIER/DIVIDER 14CDIP

BSS138

BSS138

MICROSS/On Semiconductor

MOSFET N-CH 50V 220MA DIE

CDBA540-HF

CDBA540-HF

Comchip Technology

DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AC

BAT54C-7-F

BAT54C-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3

TAJE477K010RNJ

TAJE477K010RNJ

CAP TANT 470UF 10% 10V 2917

AP2127K-1.8TRG1

AP2127K-1.8TRG1

Diodes Incorporated

IC REG LINEAR 1.8V 300MA SOT23-5