NTMTS0D6N04CTXG
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| Teilenummer | NTMTS0D6N04CTXG |
| PNEDA Teilenummer | NTMTS0D6N04CTXG |
| Beschreibung | T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSI |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.736 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTMTS0D6N04CTXG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTMTS0D6N04CTXG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
NTMTS0D6N04CTXG, NTMTS0D6N04CTXG Datenblatt
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NTMTS0D6N04CTXG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 533A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.48mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 187nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11800pF @ 20V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 20V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 53W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I-PAK Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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