NTMYS8D0N04CTWG
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| Teilenummer | NTMYS8D0N04CTWG |
| PNEDA Teilenummer | NTMYS8D0N04CTWG |
| Beschreibung | FET 40V 49A |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.280 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 9 - Mai 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NTMYS8D0N04CTWG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTMYS8D0N04CTWG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
NTMYS8D0N04CTWG, NTMYS8D0N04CTWG Datenblatt
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NTMYS8D0N04CTWG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | * |
| FET-Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie DTMOSIV-H FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 98mOhm @ 9.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 300V FET-Funktion Super Junction Verlustleistung (max.) 240W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 4-DFN-EP (8x8) Paket / Fall 4-VSFN Exposed Pad |
