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NTP5862NG

NTP5862NG

Nur als Referenz

Teilenummer NTP5862NG
PNEDA Teilenummer NTP5862NG
Beschreibung MOSFET N-CH 60V TO-220-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.208
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 14 - Mai 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTP5862NG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTP5862NG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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NTP5862NG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.98A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.7mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs82nC @ 10V
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6000pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-220-3

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Hersteller

Serie

FemtoFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

291pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

3-PICOSTAR

Paket / Fall

3-XFDFN

DMN3008SCP10-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

CMF10120D

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-FET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220mOhm @ 10A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47.1nC @ 20V

Vgs (Max)

+25V, -5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

928pF @ 800V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

134W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 135°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247

Paket / Fall

TO-247-3

BUK9609-40B,118

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

157W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 470µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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RES 0.01 OHM 1% 1/4W 1206