NTQD6866R2G
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| Teilenummer | NTQD6866R2G |
| PNEDA Teilenummer | NTQD6866R2G |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.596 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 16 - Mai 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NTQD6866R2G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTQD6866R2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NTQD6866R2G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 16V |
| Leistung - max | 940mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 71mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1A Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 10V Leistung - max 1W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-TSST |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 27A Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1720pF @ 15V Leistung - max 4.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (5.2x5.55) |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 10V Leistung - max 46W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.5A, 4.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 20V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
