NTS12120EMFST1G
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| Teilenummer | NTS12120EMFST1G |
| PNEDA Teilenummer | NTS12120EMFST1G |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 120V 12A 5DFN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.956 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 8 - Jun 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NTS12120EMFST1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTS12120EMFST1G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
NTS12120EMFST1G, NTS12120EMFST1G Datenblatt
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NTS12120EMFST1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 120V |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 830mV @ 12A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 55µA @ 120V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Lieferantengerätepaket | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 3.2V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 30µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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