Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NTZD3155CT1H

NTZD3155CT1H

Nur als Referenz

Teilenummer NTZD3155CT1H
PNEDA Teilenummer NTZD3155CT1H
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.572
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTZD3155CT1H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTZD3155CT1H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NTZD3155CT1H, NTZD3155CT1H Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 114,67 KB)
PDFNTZD3155CT1H Datenblatt Cover
NTZD3155CT1H Datenblatt Seite 2 NTZD3155CT1H Datenblatt Seite 3 NTZD3155CT1H Datenblatt Seite 4 NTZD3155CT1H Datenblatt Seite 5 NTZD3155CT1H Datenblatt Seite 6 NTZD3155CT1H Datenblatt Seite 7 NTZD3155CT1H Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NTZD3155CT1H Datasheet
  • where to find NTZD3155CT1H
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTZD3155CT1H
  • NTZD3155CT1H PDF Datasheet
  • NTZD3155CT1H Stock

  • NTZD3155CT1H Pinout
  • Datasheet NTZD3155CT1H
  • NTZD3155CT1H Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTZD3155CT1H Price
  • NTZD3155CT1H Distributor

NTZD3155CT1H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.540mA, 430mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 16V
Leistung - max250mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-563-6

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTHD2102PT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 2.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

715pF @ 6.4V

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

ChipFET™

SI3552DV-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.15W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

AO4882

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

415pF @ 20V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

DMT10H017LPD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

54.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.4mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1986pF @ 50V

Leistung - max

2.2W (Ta), 78W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

APTM50HM75STG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

46A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 25V

Leistung - max

357W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

Kürzlich verkauft

APT8024JLL

APT8024JLL

Microsemi

MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

IR2214SSTRPBF

IR2214SSTRPBF

Infineon Technologies

IC DVR HALF BRIDGE IC 24SSOP

B340A-E3/61T

B340A-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC

AD5293BRUZ-20

AD5293BRUZ-20

Analog Devices

IC DGT POT 20KOHM 1024TP 14TSSOP

P6KE16A

P6KE16A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 13.6V 22.5V DO15

AD7938BSUZ-6REEL7

AD7938BSUZ-6REEL7

Analog Devices

IC ADC 12BIT SAR 32TQFP

MAX7360ETL+

MAX7360ETL+

Maxim Integrated

IC CTRLR KEY-SW I2C 40TQFN

ISL99227IRZ

ISL99227IRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC MODULE SPS 3.3V 32-PQFN

LM2901DR2G

LM2901DR2G

ON Semiconductor

IC COMP QUAD SGL SUPPLY 14SOIC

MIC2544A-1YM

MIC2544A-1YM

Microchip Technology

IC SW CURR LIMIT HI SIDE 8SOIC

BSS138

BSS138

MICROSS/On Semiconductor

MOSFET N-CH 50V 220MA DIE

MPC9448ACR2

MPC9448ACR2

IDT, Integrated Device Technology

IC CLK BUFFER 1:12 350MHZ 32TQFP