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NVATS5A302PLZT4G

NVATS5A302PLZT4G

Nur als Referenz

Teilenummer NVATS5A302PLZT4G
PNEDA Teilenummer NVATS5A302PLZT4G
Beschreibung MOSFET P-CHANNEL 60V 80A ATPAK
Hersteller ON Semiconductor
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NVATS5A302PLZT4G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNVATS5A302PLZT4G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NVATS5A302PLZT4G, NVATS5A302PLZT4G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 462,61 KB)
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NVATS5A302PLZT4G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.80A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs115nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5400pF @ 20V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)84W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketATPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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NTMFS6B05NT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Ta), 104A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.3W (Ta), 138W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

FQPF90N10V2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

191nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6150pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

2N7002F,215

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

475mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.69nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

830mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-236AB

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IXFH66N20Q

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

66A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

IPB110N06L G

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

78A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 78A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 94µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

79nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

158W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3-2

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

EPM1270F256I5N

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Intel

IC CPLD 980MC 6.2NS 256FBGA

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK-BOOST 24SSOP

7A-8.000MBBK-T

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TXC

CRYSTAL 8.0000MHZ 20PF SMD

FSAM30SH60A

FSAM30SH60A

ON Semiconductor

SMART POWER MODULE 30A SPM32-AA

MMBTA05-TP

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Micro Commercial Co

TRANS NPN 60V 0.5A SOT23

MAX992EUA+

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Maxim Integrated

IC COMPARATOR R-R 8-UMAX

OP2177ARMZ-REEL

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Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP

XCF04SVOG20C

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Xilinx

IC PROM SRL FOR 4M GATE 20-TSSOP

PIC18F6390-I/PT

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 64TQFP

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ON Semiconductor

IGBT 650V 150A 375W TO-247AB

LTM4625IY#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5.5V 5A

MP1584EN-LF-Z

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IC REG BUCK ADJUSTABLE 3A 8SOIC