NVMFD6H852NLT1G
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| Teilenummer | NVMFD6H852NLT1G |
| PNEDA Teilenummer | NVMFD6H852NLT1G |
| Beschreibung | FET NCH 80V |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.642 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 18 - Jul 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NVMFD6H852NLT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NVMFD6H852NLT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
NVMFD6H852NLT1G, NVMFD6H852NLT1G Datenblatt
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NVMFD6H852NLT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7A (Ta), 25A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 26µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 521pF @ 40V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.2W (Ta), 38W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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