Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NX3008CBKV,115

NX3008CBKV,115

Nur als Referenz

Teilenummer NX3008CBKV,115
PNEDA Teilenummer NX3008CBKV-115
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V SOT666
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 149.460
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 16 - Mai 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NX3008CBKV Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNX3008CBKV,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NX3008CBKV, NX3008CBKV Datenblatt (Total Pages: 21, Größe: 2.309,42 KB)
PDFNX3008CBKV Datenblatt Cover
NX3008CBKV Datenblatt Seite 2 NX3008CBKV Datenblatt Seite 3 NX3008CBKV Datenblatt Seite 4 NX3008CBKV Datenblatt Seite 5 NX3008CBKV Datenblatt Seite 6 NX3008CBKV Datenblatt Seite 7 NX3008CBKV Datenblatt Seite 8 NX3008CBKV Datenblatt Seite 9 NX3008CBKV Datenblatt Seite 10 NX3008CBKV Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NX3008CBKV,115 Datasheet
  • where to find NX3008CBKV,115
  • Nexperia

  • Nexperia NX3008CBKV,115
  • NX3008CBKV,115 PDF Datasheet
  • NX3008CBKV,115 Stock

  • NX3008CBKV,115 Pinout
  • Datasheet NX3008CBKV,115
  • NX3008CBKV,115 Supplier

  • Nexperia Distributor
  • NX3008CBKV,115 Price
  • NX3008CBKV,115 Distributor

NX3008CBKV Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.400mA, 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.68nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 15V
Leistung - max500mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-666

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

BSD235CH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

950mA, 530mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1.6µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.34nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

47pF @ 10V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.5A, 38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 40V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

ALD310700APCL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®, Zero Threshold™

FET-Typ

4 P-Channel, Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

16-PDIP

ALD110804SCL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

FET-Typ

4 N-Channel, Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.4V

Vgs (th) (Max) @ Id

420mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

DMN1033UCB4-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.45W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-UFBGA, WLBGA

Lieferantengerätepaket

U-WLB1818-4

Kürzlich verkauft

AEDS-8011-A11

AEDS-8011-A11

Broadcom

ROTARY ENCODER OPTICAL 500PPR

ESD9L5.0ST5G

ESD9L5.0ST5G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V 9.8V SOD923

AT49F040-12TI

AT49F040-12TI

Microchip Technology

IC FLASH 4M PARALLEL 32TSOP

742792096

742792096

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 1 KOHM 0805 1LN

SRV05-4.TCT

SRV05-4.TCT

Semtech

TVS DIODE 5V 17.5V SOT23-6

WM8962ECSN/R

WM8962ECSN/R

Cirrus Logic Inc.

IC CODEC STER 49WCSP

LT3080EST#PBF

LT3080EST#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 1.1A SOT223-3

PIC16F18323-I/SL

PIC16F18323-I/SL

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 14SOIC

CD143A-SR70

CD143A-SR70

Bourns

TVS DIODE 7V SOT143

DS9503P+

DS9503P+

Maxim Integrated

TVS DIODE 7.5V 6TSOC

SLA7026M

SLA7026M

Sanken

IC MTR DRV UNIPOLAR 10-44V 18ZIP

ESDALC5-1BM2

ESDALC5-1BM2

STMicroelectronics

TVS DIODE 5V SOD882