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PBRN123ES,126

PBRN123ES,126

Nur als Referenz

Teilenummer PBRN123ES,126
PNEDA Teilenummer PBRN123ES-126
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.790
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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PBRN123ES Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPBRN123ES,126
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
PBRN123ES, PBRN123ES Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 735,03 KB)
PDFPBRN123ES Datenblatt Cover
PBRN123ES Datenblatt Seite 2 PBRN123ES Datenblatt Seite 3 PBRN123ES Datenblatt Seite 4 PBRN123ES Datenblatt Seite 5 PBRN123ES Datenblatt Seite 6 PBRN123ES Datenblatt Seite 7 PBRN123ES Datenblatt Seite 8 PBRN123ES Datenblatt Seite 9 PBRN123ES Datenblatt Seite 10 PBRN123ES Datenblatt Seite 11

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PBRN123ES Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)800mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)40V
Widerstand - Basis (R1)2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce280 @ 300mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.15V @ 8mA, 800mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max700mW
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

140 @ 100mA, 2V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

260MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

VMT3

DTC114YE-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

SOT-523

FJY4011R

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SOT-523F

DDTC114TE-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

SOT-523

DTC043EMT2L

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

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