PBSS4160DSZ
Nur als Referenz
| Teilenummer | PBSS4160DSZ |
| PNEDA Teilenummer | PBSS4160DSZ |
| Beschreibung | PBSS4160DS/SOT457/SC-74 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.712 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 30 - Jun 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PBSS4160DSZ Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PBSS4160DSZ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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PBSS4160DSZ Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN, PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100mA, 1A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 250 @ 1mA, 5V |
| Leistung - max | 700mW |
| Frequenz - Übergang | 150MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-74, SOT-457 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp 4 PNP (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 250 @ 10mA, 5V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 60MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket TO-116 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 550mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V Leistung - max 370mW Frequenz - Übergang 125MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V Leistung - max 150mW Frequenz - Übergang 400MHz, 350MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket EMT6 |
