PC3H411NIP1B
Nur als Referenz
| Teilenummer | PC3H411NIP1B |
| PNEDA Teilenummer | PC3H411NIP1B |
| Beschreibung | OPTOISO 2.5KV TRANS MINI-FLAT |
| Hersteller | Sharp Microelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.974 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PC3H411NIP1B Ressourcen
| Marke | Sharp Microelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PC3H411NIP1B |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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PC3H411NIP1B Technische Daten
| Hersteller | Sharp Microelectronics |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 2500Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | - |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 4µs, 3µs |
| Eingabetyp | AC, DC |
| Ausgabetyp | Transistor |
| Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 50mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 10mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 200mV |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 100°C |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 600% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 3µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 2µs, 3µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads Lieferantengerätepaket 6-SO, 4 Lead |
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