PCFQ17P10W
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| Teilenummer | PCFQ17P10W |
| PNEDA Teilenummer | PCFQ17P10W |
| Beschreibung | DIE MOSFET P-CH 100V |
| Hersteller | MICROSS/On Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.156 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 18 - Jul 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PCFQ17P10W Ressourcen
| Marke | MICROSS/On Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PCFQ17P10W |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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PCFQ17P10W Technische Daten
| Hersteller | MICROSS/On Semiconductor |
| Serie | * |
| FET-Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSIX FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 300V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 40W (Tc) Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220SIS Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
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