PMGD780SN,115
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| Teilenummer | PMGD780SN,115 |
| PNEDA Teilenummer | PMGD780SN-115 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 108.426 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PMGD780SN Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMGD780SN,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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PMGD780SN Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 490mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 920mOhm @ 300mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.05nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23pF @ 30V |
| Leistung - max | 410mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSSOP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual), Schottky FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.3A, 17.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 15V Leistung - max 1.1W, 1.2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
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