PMN40UPE,115
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| Teilenummer | PMN40UPE,115 |
| PNEDA Teilenummer | PMN40UPE-115 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.600 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PMN40UPE Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMN40UPE,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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PMN40UPE Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1820pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta), 8.33W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
| Paket / Fall | SC-74, SOT-457 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 250W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PQFN (5x6) Single Die Paket / Fall 8-PowerVDFN |
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