PMPB100XPEAX
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| Teilenummer | PMPB100XPEAX |
| PNEDA Teilenummer | PMPB100XPEAX |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN2020MD |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.538 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PMPB100XPEAX Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMPB100XPEAX |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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PMPB100XPEAX Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 122mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | +8V, -10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 388pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 550mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-DFN2020MD (2x2) |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.2mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 6V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1360pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 44.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Paket / Fall PowerPAK® SO-8 |
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