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PMPB29XPE,115

PMPB29XPE,115

Nur als Referenz

Teilenummer PMPB29XPE,115
PNEDA Teilenummer PMPB29XPE-115
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN
Hersteller Nexperia
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PMPB29XPE Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMPB29XPE,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PMPB29XPE, PMPB29XPE Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 733,66 KB)
PDFPMPB29XPE Datenblatt Cover
PMPB29XPE Datenblatt Seite 2 PMPB29XPE Datenblatt Seite 3 PMPB29XPE Datenblatt Seite 4 PMPB29XPE Datenblatt Seite 5 PMPB29XPE Datenblatt Seite 6 PMPB29XPE Datenblatt Seite 7 PMPB29XPE Datenblatt Seite 8 PMPB29XPE Datenblatt Seite 9 PMPB29XPE Datenblatt Seite 10 PMPB29XPE Datenblatt Seite 11

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PMPB29XPE Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs32.5mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 4.5V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2970pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDFN2020MD-6
Paket / Fall6-UDFN Exposed Pad

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH3™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

620V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D²Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

67A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4034pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

157W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

CSD15380F3

Texas Instruments

Hersteller

Serie

FemtoFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1190mOhm @ 100mA, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.35V @ 2.5µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.281nC @ 10V

Vgs (Max)

10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10.5pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

3-PICOSTAR

Paket / Fall

3-XFDFN

TPCA8A02-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSV-H

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

34A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3430pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta), 45W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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Toshiba Semiconductor and Storage

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Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11000pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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