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PMV45EN2VL

PMV45EN2VL

Nur als Referenz

Teilenummer PMV45EN2VL
PNEDA Teilenummer PMV45EN2VL
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 7.920
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PMV45EN2VL Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMV45EN2VL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PMV45EN2VL, PMV45EN2VL Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 637,92 KB)
PDFPMV45EN2VL Datenblatt Cover
PMV45EN2VL Datenblatt Seite 2 PMV45EN2VL Datenblatt Seite 3 PMV45EN2VL Datenblatt Seite 4 PMV45EN2VL Datenblatt Seite 5 PMV45EN2VL Datenblatt Seite 6 PMV45EN2VL Datenblatt Seite 7 PMV45EN2VL Datenblatt Seite 8 PMV45EN2VL Datenblatt Seite 9 PMV45EN2VL Datenblatt Seite 10 PMV45EN2VL Datenblatt Seite 11

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PMV45EN2VL Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds209pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)510mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-236AB
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SPN02N60S5

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

400mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223-4

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

NTD40N03RT4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.8A (Ta), 32A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.78nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

584pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

APT58MJ50J

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

58A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 42A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

340nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

540W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

SIHB30N60AEL-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

EL

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2565pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D²Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIHH26N60EF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

141mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2744pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

202W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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