PMWD15UN,518
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| Teilenummer | PMWD15UN,518 |
| PNEDA Teilenummer | PMWD15UN-518 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.024 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PMWD15UN Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMWD15UN,518 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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PMWD15UN Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 16V |
| Leistung - max | 4.2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 350mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 32pF @ 30V Leistung - max 320mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
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Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ 4 P-Channel, Matched Pair FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 180mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V Leistung - max 3W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
