Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

PSMN059-150Y,115

PSMN059-150Y,115

Nur als Referenz

Teilenummer PSMN059-150Y,115
PNEDA Teilenummer PSMN059-150Y-115
Beschreibung MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 107.742
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 3 - Jun 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PSMN059-150Y Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPSMN059-150Y,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PSMN059-150Y, PSMN059-150Y Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 717,86 KB)
PDFPSMN059-150Y Datenblatt Cover
PSMN059-150Y Datenblatt Seite 2 PSMN059-150Y Datenblatt Seite 3 PSMN059-150Y Datenblatt Seite 4 PSMN059-150Y Datenblatt Seite 5 PSMN059-150Y Datenblatt Seite 6 PSMN059-150Y Datenblatt Seite 7 PSMN059-150Y Datenblatt Seite 8 PSMN059-150Y Datenblatt Seite 9 PSMN059-150Y Datenblatt Seite 10 PSMN059-150Y Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • PSMN059-150Y,115 Datasheet
  • where to find PSMN059-150Y,115
  • Nexperia

  • Nexperia PSMN059-150Y,115
  • PSMN059-150Y,115 PDF Datasheet
  • PSMN059-150Y,115 Stock

  • PSMN059-150Y,115 Pinout
  • Datasheet PSMN059-150Y,115
  • PSMN059-150Y,115 Supplier

  • Nexperia Distributor
  • PSMN059-150Y,115 Price
  • PSMN059-150Y,115 Distributor

PSMN059-150Y Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.43A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27.9nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1529pF @ 30V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)113W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketLFPAK56, Power-SO8
Paket / FallSC-100, SOT-669

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDP2710-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

47mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

101nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5690pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

403W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

R6012ANX

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FM

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

NVTR01P02LT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220mOhm @ 750mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.1nC @ 4V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 5V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400mW (Ta)

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IPB06N03LB

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2782pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TK5A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVII

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220SIS

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Kürzlich verkauft

39213150000

39213150000

Littelfuse

FUSE BRD MNT 3.15A 250VAC RADIAL

824022

824022

Wurth Electronics

TVS DIODE 5V 8V SOT23-3L

MBR0540T1G

MBR0540T1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123

SA555D

SA555D

ON Semiconductor

IC OSC SINGLE TIMER 8-SOP

MMSZ5229B-7-F

MMSZ5229B-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123

ADM1021ARQ

ADM1021ARQ

ON Semiconductor

IC SENSOR TEMP DUAL3/5.5V 16QSOP

3224W-1-202E

3224W-1-202E

Bourns

TRIMMER 2K OHM 0.25W J LEAD TOP

LTM8022EV#PBF

LTM8022EV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-10V 1A

HCS3920FTL500

HCS3920FTL500

Stackpole Electronics

RES 500 UOHM 1% 5W 3920

PCA9543APW,118

PCA9543APW,118

NXP

IC I2C SWITCH 2CH 14-TSSOP

CRCW0402499RFKED

CRCW0402499RFKED

Vishay Dale

RES SMD 499 OHM 1% 1/16W 0402

ACPL-M43T-500E

ACPL-M43T-500E

Broadcom

OPTOISOLATOR 4KV TRANSISTOR 5-SO