PSMN1R8-30PL,127
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| Teilenummer | PSMN1R8-30PL,127 |
| PNEDA Teilenummer | PSMN1R8-30PL-127 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V TO220AB |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 26.436 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 4 - Jun 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PSMN1R8-30PL Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PSMN1R8-30PL,127 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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PSMN1R8-30PL Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10180pF @ 12V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 270W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie SupreMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 199mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52.3nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2170pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 134.4W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
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