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PSMN3R5-30YL,115

PSMN3R5-30YL,115

Nur als Referenz

Teilenummer PSMN3R5-30YL,115
PNEDA Teilenummer PSMN3R5-30YL-115
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Hersteller Nexperia
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PSMN3R5-30YL Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPSMN3R5-30YL,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PSMN3R5-30YL, PSMN3R5-30YL Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 329,82 KB)
PDFPSMN3R5-30YL Datenblatt Cover
PSMN3R5-30YL Datenblatt Seite 2 PSMN3R5-30YL Datenblatt Seite 3 PSMN3R5-30YL Datenblatt Seite 4 PSMN3R5-30YL Datenblatt Seite 5 PSMN3R5-30YL Datenblatt Seite 6 PSMN3R5-30YL Datenblatt Seite 7 PSMN3R5-30YL Datenblatt Seite 8 PSMN3R5-30YL Datenblatt Seite 9 PSMN3R5-30YL Datenblatt Seite 10 PSMN3R5-30YL Datenblatt Seite 11

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PSMN3R5-30YL Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2458pF @ 12V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)74W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketLFPAK56, Power-SO8
Paket / FallSC-100, SOT-669

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

105V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

47A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2930pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

DMN1004UFV-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2385pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.9W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8

Paket / Fall

8-PowerVDFN

IRF6614

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12.7A (Ta), 55A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2560pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ ST

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric ST

IPP65R280C6XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 440µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

MCH6331-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

98mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-MCPH

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Kürzlich verkauft

BCP53-16T1G

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ON Semiconductor

TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223

AD22037Z

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Analog Devices

ACCELEROMETER 18G ANALOG 8CLCC

A42MX09-PQ100

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Microsemi

IC FPGA 83 I/O 100QFP

S3A-13-F

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Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

LT1965EDD#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 1.1A 8DFN

APXH200ARA470MH70G

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United Chemi-Con

CAP ALUM POLY 47UF 20% 20V SMD

LTST-C190KFKT

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Lite-On Inc.

LED ORANGE CLEAR CHIP SMD

CY7C65632-28LTXC

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Cypress Semiconductor

IC USB HUB CTRLR 4PORT LP 28QFN

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IC POWER SEQUENCER SOT23-6

BLM18AG601SN1D

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Murata

FERRITE BEAD 600 OHM 0603 1LN

DFLS1200-7

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Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 200V POWERDI123

7443320068

7443320068

Wurth Electronics

FIXED IND 680NH 26A 0.72 MOHM