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PSMN8R7-100YSFQ

PSMN8R7-100YSFQ

Nur als Referenz

Teilenummer PSMN8R7-100YSFQ
PNEDA Teilenummer PSMN8R7-100YSFQ
Beschreibung PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 8.964
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PSMN8R7-100YSFQ Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPSMN8R7-100YSFQ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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PSMN8R7-100YSFQ Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-Typ-
Technologie-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Lieferantengerätepaket-
Paket / Fall-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

230W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SQJ858AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

58A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2450pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

IPC302N15N3X1SA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 270µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Sawn on foil

Paket / Fall

Die

DMN3016LSS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.1nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1415pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SIE806DF-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13000pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

10-PolarPAK® (L)

Paket / Fall

10-PolarPAK® (L)

Kürzlich verkauft

MCP2551-I/SN

MCP2551-I/SN

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

DLW5BTN101SQ2L

DLW5BTN101SQ2L

Murata

CMC 6A 2LN 100 OHM SMD

MC7808CDTG

MC7808CDTG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 8V 1A DPAK

7A-8.000MAAE-T

7A-8.000MAAE-T

TXC

CRYSTAL 8.0000MHZ 12PF SMD

ATMEGA162-16PU

ATMEGA162-16PU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 40DIP

STM809MWX6F

STM809MWX6F

STMicroelectronics

IC MPU RESET CIRC 4.38V SOT23

MAX15021ATI+T

MAX15021ATI+T

Maxim Integrated

IC REG BUCK ADJ 2A/4A DL 28TQFN

CXA-0359

CXA-0359

TDK

INVERTER DC/DC

YC324-JK-071KL

YC324-JK-071KL

Yageo

RES ARRAY 4 RES 1K OHM 2012

4608X-102-471LF

4608X-102-471LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 470 OHM 8SIP

MC9S08LC36LK

MC9S08LC36LK

NXP

IC MCU 8BIT 36KB FLASH 80FQFP

JS28F128J3D75A

JS28F128J3D75A

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP