QH8K22TCR
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| Teilenummer | QH8K22TCR |
| PNEDA Teilenummer | QH8K22TCR |
| Beschreibung | QH8K22 IS LOW ON - RESISTANCE MO |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 22.350 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 13 - Mai 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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QH8K22TCR Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | QH8K22TCR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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QH8K22TCR Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.6nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 195pF @ 20V |
| Leistung - max | 1.1W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | TSMT8 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 861pF @ 25V Leistung - max 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.5A (Ta), 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 13µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V Leistung - max 3W (Ta), 19W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3775pF @ 6V Leistung - max 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 570mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 570mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 270mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363) |
