QJD1210011
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| Teilenummer | QJD1210011 |
| PNEDA Teilenummer | QJD1210011 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
| Hersteller | Powerex Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.060 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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QJD1210011 Ressourcen
| Marke | Powerex Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | QJD1210011 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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QJD1210011 Technische Daten
| Hersteller | Powerex Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 500nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 800V |
| Leistung - max | 900W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.9A, 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1407pF @ 40V Leistung - max 1.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A, 4.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 15V Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-XFBGA Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V Leistung - max 2.2W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerLDFN Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 (Type D) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-ECH |
