QS8M12TCR
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| Teilenummer | QS8M12TCR |
| PNEDA Teilenummer | QS8M12TCR |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.046 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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QS8M12TCR Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | QS8M12TCR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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QS8M12TCR Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 10V |
| Leistung - max | 1.5W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | TSMT8 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.28nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 15V Leistung - max 2.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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