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R1LP5256ESA-5SI#S1

R1LP5256ESA-5SI#S1

Nur als Referenz

Teilenummer R1LP5256ESA-5SI#S1
PNEDA Teilenummer R1LP5256ESA-5SI-S1
Beschreibung IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP
Hersteller Renesas Electronics America
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Auf Lager 6.768
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

R1LP5256ESA-5SI#S1 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerR1LP5256ESA-5SI#S1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
R1LP5256ESA-5SI#S1, R1LP5256ESA-5SI#S1 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 239,19 KB)
PDFR1LP5256ESP-7SR#S0 Datenblatt Cover
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R1LP5256ESA-5SI#S1 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Lieferantengerätepaket28-TSOP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Speicherformat

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Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.1ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.6V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

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Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

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SPI - Quad I/O, QPI, DTR

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3ms

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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