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R1LV0816ASB-5SI#S0

R1LV0816ASB-5SI#S0

Nur als Referenz

Teilenummer R1LV0816ASB-5SI#S0
PNEDA Teilenummer R1LV0816ASB-5SI-S0
Beschreibung IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
Hersteller Renesas Electronics America
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R1LV0816ASB-5SI#S0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerR1LV0816ASB-5SI#S0
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
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R1LV0816ASB-5SI#S0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM
Speichergröße8Mb (512K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-TSOP II

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speicherschnittstelle

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8µs, 2.5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Speicherformat

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Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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