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R1RW0408DGE-2PR#B0

R1RW0408DGE-2PR#B0

Nur als Referenz

Teilenummer R1RW0408DGE-2PR#B0
PNEDA Teilenummer R1RW0408DGE-2PR-B0
Beschreibung IC SRAM 4M FAST 36-SOJ
Hersteller Renesas Electronics America
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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R1RW0408DGE-2PR#B0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerR1RW0408DGE-2PR#B0
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
R1RW0408DGE-2PR#B0, R1RW0408DGE-2PR#B0 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 134,67 KB)
PDFR1RW0408DGE-2PR#B0 Datenblatt Cover
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R1RW0408DGE-2PR#B0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM
Speichergröße4Mb (512K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit12ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket36-SOJ

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Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

150µs

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.65V ~ 3.3V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

46-TFBGA

Lieferantengerätepaket

46-µBGA (7.6x10.4)

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

S70GL02GS11FHV023

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

32Gb (512M x 64)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1600MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

432-VFBGA

Lieferantengerätepaket

432-VFBGA (15x15)

S29GL128P90FFSS72

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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