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R1RW0416DGE-2PI#B0

R1RW0416DGE-2PI#B0

Nur als Referenz

Teilenummer R1RW0416DGE-2PI#B0
PNEDA Teilenummer R1RW0416DGE-2PI-B0
Beschreibung IC SRAM 4M FAST 44-SOJ
Hersteller Renesas Electronics America
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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R1RW0416DGE-2PI#B0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerR1RW0416DGE-2PI#B0
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
R1RW0416DGE-2PI#B0, R1RW0416DGE-2PI#B0 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 466,59 KB)
PDFR1RW0416DGE-2PI#B0 Datenblatt Cover
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R1RW0416DGE-2PI#B0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM
Speichergröße4Mb (256K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit12ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-SOJ

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Zugriffszeit

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Serie

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

1Kb (256b x 4 pages)

Speicherschnittstelle

Single Wire

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.65V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-20°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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