R6009JNJGTL
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| Teilenummer | R6009JNJGTL |
| PNEDA Teilenummer | R6009JNJGTL |
| Beschreibung | R6009JNJ IS A POWER MOSFET WITH |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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R6009JNJGTL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | R6009JNJGTL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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R6009JNJGTL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 585mOhm @ 4.5A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 7V @ 1.38mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 15V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 645pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LPTS (D2PAK) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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